Durante el próximo año comenzaremos a ver los primeros dispositivos móviles con capacidades de 64 GBytes en chips construidos mediante un proceso de 10 nanómetros. Será posible gracias a la última generación de memorias eMMC (Embedded Multimedia Card) NAND Flash desarrolladas por el fabricante Samsung, que pretenden mejorar el rendimiento a la hora de transferir información en torno al 30% con respecto a la generación anterior basada en 20 nanómetros.
Se trata de los chips eMMC Pro Class 2000, compatibles con el interfaz eMMC 4.5. Esta especificación ofrece una velocidad aleatoria de escritura de 2.000 IOPS y de lectura de 5.000 IOPS. En el lado de los procesos secuenciales arroja unas cifras teóricas de 50 MB/s y 260 MB/s en escritura y escritura respectivamente. Samsung asegura que, si se comparan con el rendimiento de una tarjeta de memoria externa de clase 10, estos chips son 10 veces más rápidos.
“Las actuales aplicaciones móviles muestran una clara tendencia hacia diseños más finos y pantallas más grandes, así como procesadores multi-núcleo y memoria de alta densidad. Los nuevos chips se adaptan a la perfección a estos factores”, declara Samsung en el comunicado.
Siemens México firmó un acuerdo con el gobierno de Querétaro, Estainium y asociaciones ambientales para…
A través de los años, la evolución de la tecnología ha impactado favorablemente en diversos…
Las nuevas funcionalidades de inteligencia artificial (IA) de Oracle Cloud CX ayudan a que los…
Los nuevos puntos de acceso inalámbrico Wi-Fi 7 brindan una solución de TI integral lista…
Las organizaciones del sector salud superan ahora a otros sectores en la adopción de modelos…
En el mundo hay más de 3 millones de robots y muchos de ellos están…
